An improved HCI degradation model for a VLSI MOSFET
一种改进的MOS器件热载流子退化模型

本文以界面态产生和氧化膜电荷注入机制为基础，提出了一种改进的热载流子注入（HCI）退化模型。实验证明，该模型可以精确拟合MOS器件的电学参数（如Idilin，Idsat，Gm和Vt）退化行为。文中以0.35μm的MOS器件为例，利用该模型分析了不同LDD工艺对Idlin和Idsat的影响，分离了界面态产生和氧化膜电荷注入对器件退化的效应，并且通过该方法得到了氧化膜电荷注入的空间位置，这给器件设计者和工艺工程师提供了重要的信息。