%0 Journal Article
%T An improved HCI degradation model for a VLSI MOSFET<br>一种改进的MOS器件热载流子退化模型
%A Tang Yi
%A Wan Xinggong
%A Gu Xiang
%A Wan Wenyuan
%A Zhang Huirui
%A Liu Yuwei
%A <br>唐逸
%A 万星拱
%A 顾祥
%A 王文渊
%A 张会锐
%A 刘玉伟
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文以界面态产生和氧化膜电荷注入机制为基础，提出了一种改进的热载流子注入（HCI）退化模型。实验证明，该模型可以精确拟合MOS器件的电学参数（如Idilin，Idsat，Gm和Vt）退化行为。文中以0.35μm的MOS器件为例，利用该模型分析了不同LDD工艺对Idlin和Idsat的影响，分离了界面态产生和氧化膜电荷注入对器件退化的效应，并且通过该方法得到了氧化膜电荷注入的空间位置，这给器件设计者和工艺工程师提供了重要的信息。
%K HCI degradation model
%K interface traps
%K oxide charge<br>HCI退化模型，界面态，氧化膜电荷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=24C19A2D733923B1317BF95930F2001B&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3EFB3DC41AEB5ADB&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0