AlGaSb/GaSb quantum wells grown on an optimized AlSb nucleation layer
AlGaSb/GaSb量子阱生长在优化的AlSb成核层

在GaSb缓冲层上生长5个周期的量子阱，通过优化AlSb成核层的生长温度和生长速率。平面透射电镜像确定的穿透位错密度为2.50 ± 0.91×108 cm-2，高分辨透射电镜清晰的表明AlSb/GaAs界面出现90°位错阵列，其位错的平均间距为5.4 nm，这些位错有效的释放了应变能。在26 K到300 K的温度区间，量子阱的荧光峰主要是基态电子与基态重空穴发光，然而当温度超过76 K时，观察到了基态电子到基态轻空穴的发光。