%0 Journal Article
%T AlGaSb/GaSb quantum wells grown on an optimized AlSb nucleation layer<br>AlGaSb/GaSb量子阱生长在优化的AlSb成核层
%A Gao Hanchao
%A Wen Cai
%A Wang Wenxin
%A Jiang Zhongwei
%A Tian Haitao
%A He Tao
%A Li Hui
%A Chen Hong
%A <br>高汉超
%A 温才
%A 王文新
%A 蒋中伟
%A 田海涛
%A 何涛
%A 李辉
%A 陈弘
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 在GaSb缓冲层上生长5个周期的量子阱，通过优化AlSb成核层的生长温度和生长速率。平面透射电镜像确定的穿透位错密度为2.50 ± 0.91×108 cm-2，高分辨透射电镜清晰的表明AlSb/GaAs界面出现90°位错阵列，其位错的平均间距为5.4 nm，这些位错有效的释放了应变能。在26 K到300 K的温度区间，量子阱的荧光峰主要是基态电子与基态重空穴发光，然而当温度超过76 K时，观察到了基态电子到基态轻空穴的发光。
%K 分子束外延
%K 锑
%K III-V族半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3D69DE4C1530442FCED066DAA91C4AD3&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=94C357A881DFC066&sid=4EF90875E206E5A9&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0