Influence of substrate temperature on the structural and properties of In-doped CdO films prepared by PLD
衬底温度对In掺杂CdO薄膜的结构和性能的影响

采用脉冲激光在石英玻璃衬底上沉积透明的铟掺杂氧化镉(In-CdO)薄膜。衬底温度对In-CdO薄膜的结构，光学和电学性能的影响进行了详细研究。研究表明衬底温度对In-CdO薄膜的光透射率具有较大的影响。在可见光区域，所有薄膜的透过率都高于75％。更显著的是，铟的掺杂明显的导致禁带宽度从2.56至2.91 eV扩大，以及禁带宽度的增加依赖于沉积温度。还可以看出，这些薄膜的电性能同样依赖于衬底温度。在300?C生长的In-CdO薄膜具有低的电阻率(1.15?10-4 ?.cm),高的载流子浓度(5.35?1020 cm-3)和高的迁移率(101.43 cm2/ V.s)。