%0 Journal Article
%T Influence of substrate temperature on the structural and properties of In-doped CdO films prepared by PLD<br>衬底温度对In掺杂CdO薄膜的结构和性能的影响
%A Zheng Biju
%A Hu Wen
%A <br>郑必举
%A 胡文
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 采用脉冲激光在石英玻璃衬底上沉积透明的铟掺杂氧化镉(In-CdO)薄膜。衬底温度对In-CdO薄膜的结构，光学和电学性能的影响进行了详细研究。研究表明衬底温度对In-CdO薄膜的光透射率具有较大的影响。在可见光区域，所有薄膜的透过率都高于75％。更显著的是，铟的掺杂明显的导致禁带宽度从2.56至2.91 eV扩大，以及禁带宽度的增加依赖于沉积温度。还可以看出，这些薄膜的电性能同样依赖于衬底温度。在300?C生长的In-CdO薄膜具有低的电阻率(1.15?10-4 ?.cm),高的载流子浓度(5.35?1020 cm-3)和高的迁移率(101.43 cm2/ V.s)。
%K cadmium oxide
%K pulse laser deposition
%K transparent conductor oxide
%K Hall effect<br>氧化镉
%K 脉冲激光沉积
%K 透明导电氧化物
%K 霍尔效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A2B81C56D90B149CAF0D34898E86125A&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=94C357A881DFC066&sid=4EF90875E206E5A9&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=31