An ultra-high-speed direct digital frequency synthesizer implemented in GaAs HBT technology
基于GaAs HBT的超高速直接数字频率合成器

本文报道了一款采用1μm砷化镓异质结双极型晶体管工艺设计制造的10GHz 8-bit超高速直接数字频率合成器芯片。采用8级双边沿触发流水线累加器和正弦加权数模转换器相结合的无ROM架构，将砷化镓异质结双极型晶体管工艺的高速性能最大化，从而大幅提高了电路的工作频率。在10GHz内部有效时钟频率下，芯片可以输出直流到5GHz的正弦波，第一奈奎斯特区的平均无杂散动态范围为23.24dBc。在-4.6V单电源供电下，芯片的直流功耗为2.4W。芯片集成了1651支晶体管，总体面积为2.4×2.0 mm2。