%0 Journal Article
%T An ultra-high-speed direct digital frequency synthesizer implemented in GaAs HBT technology<br>基于GaAs HBT的超高速直接数字频率合成器
%A Chen Gaopeng
%A Wu Danyu
%A Jin Zhi
%A Liu Xinyu
%A <br>陈高鹏
%A 吴旦昱
%A 金智
%A 刘新宇
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文报道了一款采用1μm砷化镓异质结双极型晶体管工艺设计制造的10GHz 8-bit超高速直接数字频率合成器芯片。采用8级双边沿触发流水线累加器和正弦加权数模转换器相结合的无ROM架构，将砷化镓异质结双极型晶体管工艺的高速性能最大化，从而大幅提高了电路的工作频率。在10GHz内部有效时钟频率下，芯片可以输出直流到5GHz的正弦波，第一奈奎斯特区的平均无杂散动态范围为23.24dBc。在-4.6V单电源供电下，芯片的直流功耗为2.4W。芯片集成了1651支晶体管，总体面积为2.4×2.0 mm2。
%K DDS
%K double-edge-trigger
%K CML
%K ECL
%K GaAs HBT
%K sine-weighted DAC<br>直接数字频率合成器
%K 双边沿触发
%K 电流模逻辑
%K 射极耦合逻辑
%K 砷化镓异质结双极型晶体管
%K 正弦加权数模转换器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=85463406D4FE665A525C566289CE4684&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=B31275AF3241DB2D&sid=CED91178616A92BE&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0