Zastosowanie Mikroskopii Si Atomowych (AFM) W Diagnostyce Warstwy Wierzchniej

W niniejszej pracy przedstawiono mikroskopi si atomowych jako zaawansowan metod in yniersk , daj c szerokie mo liwo ci w nowoczesnej kontroli jako ci wysokiej klasy elementów optyki, fotoniki czy pó przewodników. Ponadto silnie zaakcentowano konieczno opisu morfologii warstwy wierzchniej poprzez podanie wymiaru fraktalnego oraz d ugo ci korelacji jako zasadniczych parametrów opisuj cych samopodobieństwo oraz samoafiniczno powierzchni elementów technicznych. Przytaczan metodyk poparto badaniami eksperymentalnymi, w ramach których przeprowadzono analiz fraktaln topografii powierzchni cienkiej folii stopu Heuslera typu Ni-Mn-Ga z zastosowaniem metody RMS (Root Mean Square).