%0 Journal Article
%T Zastosowanie Mikroskopii Si  Atomowych (AFM) W Diagnostyce Warstwy Wierzchniej
%A Miros aw Bramowicz
%A Sylwester K ysz
%J Research Works of Air Force Institute of Technology
%D 2007
%I 
%R 10.2478/v10041-008-0009-z
%X W niniejszej pracy przedstawiono mikroskopi  si  atomowych jako zaawansowan  metod  in yniersk , daj c  szerokie mo liwo ci w nowoczesnej kontroli jako ci wysokiej klasy element車w optyki, fotoniki czy p車 przewodnik車w. Ponadto silnie zaakcentowano konieczno   opisu morfologii warstwy wierzchniej poprzez podanie wymiaru fraktalnego oraz d ugo ci korelacji jako zasadniczych parametr車w opisuj cych samopodobie里stwo oraz samoafiniczno   powierzchni element車w technicznych. Przytaczan  metodyk  poparto badaniami eksperymentalnymi, w ramach kt車rych przeprowadzono analiz  fraktaln  topografii powierzchni cienkiej folii stopu Heuslera typu Ni-Mn-Ga z zastosowaniem metody RMS (Root Mean Square).
%K mikroskopia si
%K atomowych (AFM)
%K analiza fraktalna
%K RMS
%K steksturowanie powierzchni
%K anizotropia powierzchni
%K samopodobie里stwo
%K samoafiniczno
%U http://versita.metapress.com/content/mr274k261u1u818g/?p=45ea8659173e49ee8edb6e76351ae302&pi=8