A spectroscopic ellipsometry study of the abnormal scaling behavior of high-rate-deposited microcrystalline silicon films by VHF-PECVD technique
椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

Keywords: microcrystalline silicon film,spectroscopic ellipsometry,growth mechanism,surface roughness
微晶硅薄膜，,椭偏光谱法，,生长机制，,表面粗糙度

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Abstract:

采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜，通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明，沉积气压Pg=300 Pa时，β=0.81，其超出标度理论中β最大值为0.5范围，出现异常标度行为.这表明微晶硅薄膜高速生长中还存在其他粗糙化增加的因素，此粗糙化增加的因素与阴影作用有关.

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