Fabrication and properties of (100) oriented MgO by DC sputtering on Si substrate
择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征

采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数，在（100）Si衬底上成功制备了高度（100）择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对 （100）MgO择优取向温度影响机理做了详细讨论，并利用XRD，AFM，FESEM等手段研究了在（100）Si和（100）TiN/Si两种衬底上，不同工艺条件下MgO薄膜的表面和断面微观结构，表征了MgO薄膜的柱状生长结构和与TiN薄膜的良好外延关系.在对薄膜光学特性的研究中，利用Sellmeier模型获得了Si上MgO薄膜在可见光波段的折射率参数（550 nm处折射率为1.6