Modifikasi Model Heating pada Heat Assisted Magnetic Recording (HAMR) Nano Partikel Magnetik

Modifikasi skema mekanisme heat assisted magnetic recording (HAMR) yaitu sistem magnetisasi berbantukan panas untuk menurunkan medan switching telah dilakukan. Bahan magnetik dengan anisotropi tegaklurus tinggi yaitu CoPtCr ditinjau sebagai cell memori pada sistem hard disk drive (HDD). Penyelesaian persamaan Landau-Lifshitz-Gilbert dalam program simulasi mikromagnetik digunakan untuk menghitung medan switching pada beragam modifikasi skema HAMR. Tiga skema modifikasi HAMR diusulkan berdasar pada pola penulisan data pada suhu tinggi (yaitu mendekati suhu Curie). Hasil simulasi memperlihatkan bahwa penulisan data pada medan konstan membutuhkan medan switching terendah. Selebihnya, fluktuasi medan switching akibat modifikasi efek panas relatif kecil dibandingkan dua skema lainnya