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- 2018
GaAs纳米线阵列光阴极的制备及其特性研究DOI: 10.3969/j.issn.1005-5630.2018.01.012 Keywords: SiO2纳米球 GaAs纳米线阵列 纳米球刻蚀 Cs-F激活 电子源 Abstract: 采用改进的St？ber法合成直径为500 nm的SiO2纳米球，用旋涂法将所合成的SiO2纳米球制作掩模版，采用纳米球刻蚀法制备GaAs纳米线阵列。利用扫描电子显微镜（SEM）、漫反射谱对其进行了表征分析，再对所制备出的GaAs纳米线阵列结构进行Cs-F交替激活实验，使其表面形成负电子亲和势光阴极，并对最终制备出的GaAs纳米线阵列光阴极样品进行量子效率测试，验证了GaAs纳米线阵列结构的量子效率比GaAs基片提高50%以上，从而证实了纳米线阵列结构的高光电转换效率
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