白光LED用LaF3:Eu3+红色荧光粉的制备与表征

采用水热法制备具有单一相六方晶系的LaF3:Eu3+纳米荧光粉。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜（TEM）、光致发光光谱(PL)和荧光衰减曲线对LaF3:Eu3+纳米荧光粉进行表征。LaF3:Eu3+荧光粉的激发光谱主要由250 nm处的宽带（O2-→Eu3+的电荷转移跃迁）和一些尖峰（Eu3+ f-f跃迁）构成，其中位于近紫外区396 nm处有一较强的激发峰。通过发射光谱探测Eu3+在LaF3晶体中的局部晶场环境。在298 K下激发光谱和发射光谱可知，在六方晶系的LaF3纳米晶体中的Eu3+晶格位置从D4h降至到C2v，这是由于晶格变化所造成的。在396 nm激发下，观测到较优掺杂浓度为10%的LaF3:Eu3+荧光粉在591 nm（5D0→7F1跃迁）处有强烈的红色发射峰。其发光性能表明，LaF3:Eu3+红色荧光粉在近紫外发光二极管领域具有潜在的应用价值