雪崩模式下的体结构GaAs光导开关

利用能量较低的脉冲激光二极管，在较高场强下触发GaAs光导开关，使其工作于雪崩模式，从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs光导开关采用垂直体结构设计，芯片厚度为2 mm，电极形状分别为圆环和圆面，触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴Blumlein脉冲形成线完成。对基于GaAs光导开关的同轴Blumlein脉冲线进行了模拟仿真和实验，当充电电压超过8 kV(40 kV/cm)后，开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为15 kV(75 kV/cm)时，在50 Ω负载上获得了约11 kV的脉冲电压，实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试，其测试结果显示开关充电电压对抖动影响很大，随着开关偏压增加，开关抖动减小，开关获得了最小抖动约700 ps