电磁弹射装置脉冲强磁场防护设计

针对电磁弹射装置激励和发射过程中产生的感应脉冲强磁场对周边电子设备造成的电磁干扰(EMI)威胁特征，基于有限积分技术(FIT)对弹射装置内磁场环境进行仿真分析，并对发射器结构开展磁场屏蔽特性设计研究。以某装置应用为例，在5 kHz以下低频段，内部磁场值可达10 T，通过多层梯度复合磁屏蔽结构设计，实现磁场屏蔽效能达40 dB，满足了该系统磁防护设计要求