S波段GaN MMIC Doherty功率放大器

采用SiC衬底0.25 μm AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺，研制了一款S波段GaN单片微波集成电路(MMIC)Doherty功率放大器，在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率，可用于小型基站。为减小芯片尺寸，采用无源集总元件替代四分之一阻抗变换线；在输入端没有采用功分器加相位补偿线的结构，而是设计了一种集总结构的电桥来提高集成度。脉冲测试表明，在3~3.2 GHz频率范围内，饱和输出功率大于10 W，在回退6 dB处的功率附加效率(PAE)为38%，芯片尺寸为4.0 mm×2.4 mm