氧化硅内核结构对核/壳包覆型SiO2/CeO2复合颗粒抛光性能的影响

设计合成了以具有放射状介孔孔道(孔径约2.6 nm)的介孔氧化硅(mSiO2)微球(粒径约300 nm)为内核、以CeO2纳米颗粒为包覆层(壳厚为15~20 nm)的mSiO2/CeO2复合颗粒(粒径在330~340 nm),使用场发射扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、傅里叶转换红外光谱和氮气吸脱附等手段表征了样品的结构。结果表明,使用以实心氧化硅(sSiO2)为内核的sSiO2/CeO2复合颗粒抛光的热氧化硅片其表面粗糙度均方根值(Root-mean-square roughness, RMS)为0.309 nm,材料的去除率(Material removal rate, MRR)为24 nm/min)。mSiO2/CeO2复合颗粒有利于得到更低的氧化硅片抛光表面粗糙度(RMS=0.267 nm)和更高的抛光速率(MRR=45 nm/min),且能避免出现划痕等机械损伤。SiO2/CeO2复合颗粒中的氧化硅内核结构,对其抛光特性有明显的影响