结晶性和粒子尺寸对C60薄膜晶体管迁移率的影响

采用真空沉积方法在不同基片温度（30~190℃）和沉积压力（1×10-4和1×10-1 Pa）下制得了C60薄膜。研究了薄膜的结晶性和晶粒尺寸对迁移率的影响。采用X射线衍射和原子力显微镜表征了薄膜的结构和形貌，发现提高基片温度，薄膜的结晶性和晶粒尺寸均提高；提高沉积压力，薄膜的晶粒尺寸增大而结晶性不变。场效应测试结果表明，C60薄膜的迁移率与其结晶性密切相关，高的结晶性有利于获得高迁移率；不同于平面有机半导体材料，对于球状C60半导体材料，大的晶粒尺寸可能导致低迁移率