n型Cu2O薄膜的简易水热法制备及其光电化学性能

采用一种简单的水热法，通过控制反应时间，使用铜片在只含有Cl-的非含铜前驱物的NaCl溶液中生长出了n型Cu2O薄膜。对制备的样品进行了X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）和光电化学等表征或测试。本水热法相对其他的水热法工艺更简单，成本更低且能进行快速大规模化的生产。且得到的n型Cu2O薄膜晶化程度高，经过Cl-掺杂后，载流子浓度高达9.75×1017 cm-3，在可见光照射下表现出较好的光电转换性能。光电化学和电化学阻抗谱表明在中等浓度（0.1 mol·L-1） NaCl溶液中90℃的条件下水热反应50 h制备的Cu2O薄膜具有最好的光电性能