硅对砷胁迫下烟草叶绿素荧光特性的影响

为揭示硅对砷胁迫下烟草叶绿荧光特性的影响，以漂浮育苗的云烟87为试材，以Na3AsO4？12H2O为砷源，Na2SiO3？9H2O为硅源开展水培试验，试验设置5个处理；对照(CK)、0.25 mmol/L As5+(As0.25)、0.35 mmol/L As5+(As0.35)、1.0 mmol/L SiO2+0.25 mmol/L As5+(As0.25+Si)、1.0 mmol/L SiO2+0.25 mmol/L As5+(As0.35+Si)。结果表明，砷胁迫下烟草φPSⅡ、Fv/Fm、Sm、φEo、ψo显著或极显著降低，说明砷胁迫导致PSⅡ反应中心受损，受体侧PQ库容量变小，电子传递受到抑制，从而使电子传递速率下降。硅可使砷胁迫下烟草光反应中心保持较高的活性，使无效能利用所引起的热耗散(DIo/RC)降低，对光合器官的结构性能参数(PIABS)和单位反应中心的电子传递能力(ETo/RC)均有增加