Zn2+浓度对Zn:Ce:Cu:LiNbO3晶体缺陷结构的影响

摘要:采用单晶提拉法生长了不同Zn？？？？2+？？(1,3,5,7 mol%)离子浓度的Zn:Ce:Cu:LiNbO？？？？3？？单晶，为了研究Zn？？？？2+？？离子浓度对Zn:Ce:Cu:LiNbO？？？？3？？单晶缺陷结构的影响，采用光致散射光强阈值方法来测定晶体的抗光损伤能力，用电感耦合等离子原子发射光谱(ICP？？AES)测试Zn:Ce:Cu:LiNbO？？？？3？？晶体中不同掺杂离子的有效分凝系数。试验结果表明：随着晶体中掺杂Zn？？？？2+？？离子浓度的增加，晶体的抗光损伤能力增强，Zn？？？？2+？？离子分凝系数随着晶体中Zn？？？？2+？？浓度增加呈现先升高后降低的趋势，在Zn？？？？2+？？浓度为5？@mol%时达到最高点；Ce？？？？3+？？和Cu？？？？2+？？离子的分凝系数随着Zn？？？？2+？？离子浓度的增加逐渐降低，结合LiNbO？？？？3？？晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了相关实验结果。 ？