CdS及其稀土掺杂纳米带的制备与发光性质的研究

采用热蒸发法制备CdS及其稀土掺杂的纳米带（CdS:Ce3+、CdS:Er3+）。利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和荧光光谱仪（PL）对纳米带的形貌、晶体结构和发光性质进行了表征和分析。结果表明：所制备的纳米带的外形规则，表面光滑、平整，纳米带的厚度大约在20～60纳米范围内；纳米带具有六方结构，晶格常数a = 0.414 nm、c = 0.671 nm；CdS纳米带的光致发光谱的谱峰位于405 nm左右；CdS:Ce3+纳米带的光致发光谱的谱峰位于527 nm处；CdS:Er3+纳米带的光致发光谱中观察到三个强的发光峰，分别位于525、556和582 nm处