Cu2O半导体薄膜在酸性条件下的电化学沉积

本文在酸性溶液中在透明导电玻璃（ITO）基体上电化学沉积Cu2O 薄膜。通过实验研究了电沉积工艺条件对电沉积Cu2O 薄膜的影响。X 射线衍射(XRD) 和扫描电镜(SEM) 对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析。结果表明，水浴温度较高时,酸性镀液中Ac-HAc 共轭缓冲体系的反应速率提高，可以有效抑制铜单质的生长；镀液中铜离子的浓度会影响工作电极表面的铜离子的浓度梯度，使得Cu2O在不同镀液下形成不同方向的择优取向；在双电极条件下可以提高电沉积Cu2O薄膜的电流密度至4 mAcm-2，远远高于文献报导在三电极体系下低于1 mAcm-2的工作电流密度。生成的氧化亚铜薄膜具有多孔结构，禁带宽度Eg约为2.4 eV