腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究

本工作采用电化学刻蚀方法，在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。本文就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明，在其它相同的实验条件下，改变组元乙醇的比例，制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小，制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时，制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变，本文中对此的机制进行了探讨