碲基复合薄膜在纳米尺度下的电学特性研究

分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜(AFM/SPM)在纳米尺度下对碲基复合(Te/TeO2-SiO2)薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8v，反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV，相对介电常数小于以硅为主要成分的衬底相对介电常数。利用光谱分析，碲基复合薄膜的禁带宽度约为3.14eV