NiFe/IrMn多层膜制备及MgO掺杂研究

采用磁控溅射制备了Ta/NiFe/IrMn/Ta薄膜，研究了反铁磁IrMn的溅射功率和铁磁层NiFe厚度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁IrMn中插入MgO，发现MgO含量对交换偏置场有一定影响。随着MgO含量的增加，多层膜的交换偏置场逐渐增大，当时MgO的含量约为2.5%交换偏置场达到最大值。随着MgO的含量的进一步增加交换偏置场下降。在IrMn中插入适量的MgO可以有效地增加交换偏置场