斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究

本文采用离子束溅射技术，在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点，系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响，以及斜切基片上Ge纳米点随原子沉积量的演变规律。实验结果表明，在斜切基片上原子级的表面台阶能有效地抑制吸附原子的表面扩散。因此，有利于Ge纳米点的形核，并抑制纳米点的过度长大，从而获得高密度、小尺寸的Ge纳米点