不同沉积温度下V掺杂的TiN薄膜的结构和性能

摘 要：利用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备了钒(V)掺杂的氮化钛(TiN)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪和分光光度计等对TiN薄膜的结构、形貌、以及光电性能进行了分析。结果表明，薄膜呈典型的粒状结构。随着沉积温度的升高，薄膜的结晶强度不断增加，薄膜中V元素的比例增大，方块电阻逐渐降低。600℃时薄膜在近红外光区的反射率接近50%，在中远红外区的反射率达到93.74%，得到了兼具阳光控制功能和低辐射功能的V掺杂的TiN镀膜玻璃