硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

采用酞菁铁高温热解方法在硅基底上生长了定向CNT薄膜。对该薄膜进行的强流脉冲发射测试结果表明，在单脉冲条件下，当宏观场强为11.7V/μm时，发射脉冲电流的峰值约为109.4A，对应电流密度约为5.57A/cm2；而在双脉冲模式下，当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm，第二脉冲峰值宏观场强为5.4 V/μm时，第一脉冲峰值电流约为117.2A，对应电流密度约为5.97A/cm2，第二脉冲峰值电流约为720.8A，对应电流密度约为36.7A/cm2。第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应，放大倍数约为6.15倍