单体流量对大气压等离子体枪沉积二氧化硅薄膜的影响?

在大气压非平衡等离子体枪是近年来发展的一种新型的薄膜沉积方法，由于其相较于传统的气相镀膜方法，具有常压，低温，沉积速率快，设备简单等优点，一直以来受到了人们的广泛关注。本文即是利用这种类型沉积设备，以四乙氧基硅烷（TEOS）为先驱体，研究常压下沉积得二氧化硅薄膜的性质和规律。实验中，以氮气和少量氧气的组成的混合气体作为等离子体的发生气体，以氮气作为单体的载气，并调节载气流量在60sccm~160sccm之间调。通过光学椭偏仪、红外光谱(FTIR) 、扫描电镜(SEM) 对所沉积的薄膜进行表征。结果表明，在硅衬底表面沉积得的薄膜为的包含OH基团的二氧化硅薄膜，且在薄膜的表面嵌有球状颗粒。随着TEOS流量的增加，薄膜中OH基团含量、表面颗粒含量和尺寸都显著增长。分析认为，TEOS流量增加引起的薄膜组分和表面形貌的变化，是由沉积速率变大引起的