多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征

采用传统陶瓷烧结工艺，制备了直径为50mm，厚度为3mm的Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3、MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶，采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上成功制备出了ZnO陶瓷薄膜，并研究了溅射功率和退火温度对ZnO陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响。结果表明：随着溅射功率的增大，ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大；颗粒尺寸先减小后增大。随着退火温度的升高，ZnO陶瓷薄膜的C轴取向增强；晶粒尺寸增大。溅射功率为350W，退火温度为850℃，制备出的陶瓷薄膜的相组成是ZnO主晶相、富Bi2O3相、Sb2O3相以及Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相，得到了具有压敏电阻特性的组织结构