激光加热退火处理对NiMn基磁性薄膜交换偏置场的影响

通过激光加热对Ni81Fe19 (15 nm)/Ni45Mn55 (x nm)磁性双层膜进行快速退火处理，系统研究了激光辐照参数对交换偏置场(Hex)大小的影响。结果表明：激光的能量密度强烈影响双层膜交换偏置效应，并存在一个能量密度的阈值(约为150 mJ/cm2)，此时磁性双层膜能够产生较明显的交换偏置现象。磁性双层膜的Hex随着能量密度的进一步增加逐渐变大，但随后减小直至完全消失。当NiMn层厚度为25 nm时，经激光加热退火处理后双层膜的Hex最大值约为328 Oe，略大于常规退火后的Hex值(280 Oe)