退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下，对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现：对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降; 初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高；并且，在高真空中退火更有利于薄膜的晶化。退火后，薄膜表面粗糙度的改变受其晶化率的影响较大；薄膜的暗电导率有大幅度的提高。其中，掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率，表面粗糙度和电导都有显著的改善