近规整多孔硅电化学制备与表征

摘 要： 电化学阳极氧化条件对多孔硅孔排列的规整度有显著影响。本文提出一种不需阳极氧化铝模板或预图案化而直接制备近规整多孔硅的电化学方法，分析了氧化时间、电解液组成、HF浓度对多孔硅形态的影响。结果表明，随着阳极氧化时间的增加，多孔硅孔深度逐渐加大，孔径则呈先增大后稳定的现象；当氢氟酸（40%）与N-N-二甲基甲酰胺（DMF）的质量分数=20:80、电流密度为75mA/cm2、氧化时间为5min时，形成的多孔硅具有近规整的孔排列，形成孔相互平行且垂直于表面，孔尺寸均匀、一致，孔径1μm左右，孔深度20μm