电泳沉积制备平行栅碳纳米管场发射阴极的研究

利用磁控溅射、光刻、湿法刻蚀和电泳技术在玻璃基片上成功地制备平行栅场发射阴极阵列，用光学显微镜、场发射扫描电镜和拉曼光谱观察了碳纳米管的形貌和结构，并测试了所制备的平行栅碳纳米管阴极的场发射性能。光学显微镜和场发射电子显微镜测试表明，平行栅结构阴极和栅极交替地分布同一个平面内，CNTs有选择性地沉积在平行栅结构中的阴极电极表面。场发射测试表明，平行栅CNTs场发射阴极的开启电压为155V，发射电流高达268μA，场发射特性完全由栅压控制；此外，其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能，开启电压更低，发光均匀性更好，具有更好的发射特性