多孔硅的表面吸附性能的研究

通过量子化学的DFT方法，采用模型化学方法和Gaussion03程序，计算了由不同数目硅原子组成的模型分别吸附某几种氢原子、氧原子、硝酸根的模型和多孔硅表面可能存在的SiHX类物质自由基或分子碎片的红外光谱进行了计算，考察了各模型吸附前后的电荷集居数和红外振动光谱，计算结果表明多孔硅表面吸附氢原子、氧原子以及硝酸根可以削弱相关Si-Si键，导致硅氢氧化合物出现，从而氧化或断裂生成Si-H或、Si-O一类分子碎片而引起爆炸