以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜

用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO 薄膜，然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN 薄膜是非晶结构，将样品在氨气氛围中在850℃、900℃、950 ℃下退火15min，得到结晶的GaN 薄膜。用X 射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收谱（FTIR）、光致发光谱（PL）和扫描电子显微镜（SEM）研究了ZnO缓冲层对GaN 薄膜的结晶和形貌的影响