氧气含量对ITO薄膜电学性能及其稳定性的影响

调节磁控溅射工艺中氧气的含量，在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究氧气含量对ITO薄膜光学、电学性能的影响，以及在高温、高温高湿、碱性环境及经时的电学性能的稳定性。结果表明: 氧气含量的增加会降低沉积速率；氧气含量对ITO薄膜在可见光区内的透光率影响较小，但会引起峰值透光率蓝移；对电学性能及其稳定性影响较大，氧气含量在1vol.%以内时，电学性能呈先降低后升高的变化，在0.4vol.%时具有较低的电阻率，且在各种环境中具有较高的稳定性；氧气含量高于1vol.%，电学性能及其稳定性变差