Ce、V共掺杂BiFeO3多铁薄膜及其电性能研究

采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3 (BFO)和Ce、V共掺杂Bi0.97Ce0.03Fe1-xVxO3 (x=0, 0.01, 0.02, 0.03) (BCFVx)薄膜。结构和形貌测试表明Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发生从菱方结构到伪四方结构的转变，且薄膜晶粒变小。介电性能和漏电流测试表明Ce、V共掺杂BFO薄膜的介电常数增大，介电损耗和漏电流密度减小。铁电性能测试表明在x=0.01时，BCFV0.01薄膜具有较好矩形度的电滞回线，表现出较好的铁电性能