H2O2在精抛过程中对铜布线平坦化的影响

采用自主研发的碱性铜抛光液，使用前稀释50倍加入不同剂量H2O2配制成碱性铜精抛液。实验结果表明，随着H2O2含量的增加，铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层Ta/TaN均有小幅度的降低，但在MIT854布线片上精抛实验结果表明，碟形坑随着H2O2含量的增加逐渐降低，加入50ml/L H2O2的精抛液，在粗抛实现初步平坦化后，精抛去除残余铜的过程中，能够实现不同线条尺寸的完全平坦化，碟形坑在工业要求范围内。研究结果表明，H2O2含量的增加对速率影响不明显，但有利于铜布线片的平坦化。此规律对提高CMP全局平坦化具有极重要的作用