Ni含量对FeCoNiB软磁薄膜微波电磁性能的影响

为了改良磁性材料的高频电磁性能，本文采用射频磁控溅射工艺制备了一系列FeCoB和FeCoNiB磁性薄膜。研究了Ni元素的引入对材料微结构和电磁性能的影响。结果表明，适量的Ni添加量有利于获得优良的微波电磁性能，这主要归因于B在晶粒边界的析出。制备的厚度约为200 nm薄膜样品在GHz频段下同时具有高饱和磁化强度4πMs=22.12 kG，高铁磁共振频率fFMR=3.16 GHz，较高的电阻率ρ=276μΩcm，其磁导率实部μ'在0.5-2.9 GHz频率范围内大于200。该薄膜可应用于GHs频段下电磁器件的设计中