MOCVD制备SiC：Al薄膜的导电类型调控研究

用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜，发现三甲基铝（TMA）源载气流量与硅烷流量之比的大小，会决定薄膜的导电类型。用XPS方法测试样品后发现，TMA载气流量跟硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量。Al含量在1.5%以下，Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式（Ali）存在，薄膜显示出n型；而Al含量在1.5%到3%之间的时候，Al原子主要以替位Si（AlSi）的形式存在，薄膜显示出p型。继续增加掺杂源的流量，所得SiC薄膜结晶质量会变的较差，电阻也变的较高