图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

采用MOCVD系统，在图形化的绝缘体上硅（SOI：Silicon-On-Insulator）衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现，在GaN的侧向外延生长区域，侧向生长的GaN能够完全合并，GaN薄膜内的残余应力减小，穿透位错密度大幅度降低