低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究

随着微电子技术进一步发展，低K介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。本文提出了一种新型碱性铜抛光液，其不含常用的腐蚀抑制剂，并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下，铜的腐蚀速率较低仅为20?/min。在低压1.5psi时，铜的平均去除速率可达6333 ?/min，片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高，8层铜布线平坦化结果表明，60s即可消去约7946?的高低差，且抛光后表面粗糙度低(0.178nm)，表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化