温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体及性能研究

利用温度梯度溶液生长法（TGSG）在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体，晶体起始生长温度约为1223K，温度梯度为20-30K/cm，坩埚的下降速度为1mm/h．采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪（SEM/EDS）和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率．结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103/cm-2、9.2×103/cm-2，比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级，红外透过率分别为61%、60%．Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ωcm，而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ωcm．晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀