射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响

利用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）工艺，以SiH4和H2作为反应气体源，在石英衬底上制备了氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜。其中衬底温度为250℃、H2稀释比为99%、反应压强为133Pa和射频功率为20W-60W。采用 -台阶仪、X射线衍射仪（XRD）、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）和紫外可见光分光光度计等对薄膜的结构特征和光学特性进行了测试研究。结果表明，随着射频功率的增大，nc-Si:H薄膜的沉积速率增加、晶化率提高、晶粒尺寸增大和氢含量减小，同时薄膜的吸收系数增强、光学带隙变窄、结构有序性增强和带尾态宽度减小