Al2O3陶瓷基片上Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜可调介电性能的研究

采用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷基片上溅射生长Ba0.7Sr0.3TiO3 (BST) 薄膜，使用光刻工艺制作平板结构的BST薄膜可变电容。研究了溅射条件对BST薄膜可调介电性能和介电损耗的影响。结果表明，在溅射气压为 4 Pa、O2:Ar比为30:70、基片温度800 ℃下制备的BST薄膜具有较高的介电调谐率(～52%)和较低的损耗(～0.8%)，BST薄膜可变电容的品质因素随频率升高而降低，在1～100 MHz频率范围内品质因素从125下降为42