多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究

本文对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via, TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明，FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率，抛光液中不加FA/O络合剂时，铜的去除速率仅为450 ?/min，少量FA/O的加入迅速提高了铜膜去除速率，当FA/O含量为50ml/L时，铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明，FA/O对铜的去除率可高达2.8μm/min，满足微电子技术进一步发展的要求